达优高科 一、TTL和CMOS芯片有什么区别？
1.电平上限和下限定义样CMOS具有更大抗噪区域
同5伏供电ttl般1.7V和3.5V样子CMOS般
2.2V,2.9V样子准确仅供参考
2电流驱动能力样ttl般提供25毫安驱动能力而
CMOS般10毫安左右
3需要电流输入大小也样般ttl需要2.5毫安左右CMOS
几乎需要电流输入
3多器件都兼容ttl和CMOSdatasheet会有说明考虑
速度和性能般器件互换需要注意有时候负载效应能
引起电路工作正常因有些ttl电路需要下级输入阻抗作
负载才能正常工作
二、cmos和ttl区别？
cmos是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。
TTL是 Time To Live的缩写，该字段指定IP包被路由器丢弃之前允许通过的最大网段数量。
三、TTL和CMOS的区别？
题主认识有误。传统的CMOS电路供电电压不知道比TTL电路高到哪里去了！
早先时代CMOS电压比TTL低就是伪命题!TTL工作为5V电压主要因为TTL射极跟随输出高电平。因此输出电平最高也就是VCC-0.6V。
因为TTL输出能力是高弱低强，输入电流也较高，导致TTL电路扇出能力较弱，需要高一些的噪声容限。因此设计5V供电电压较为合适。
早期CMOS电路栅极阈值电压较高，一般为4V~10V，因此早期CMOS电路为正常工作，必须使用高压。如CD4000系列从5V~20V均可工作。
高压能让CMOS电路获得更大的噪声容限，但是也让CMOS电路拥有速度较慢的问题。
直到解决了栅极阈值电压的问题后，CMOS电路的工作电压才大大降低到低于5V，3.3V直到最先进的0.9V。
四、ttl和cmos哪个抗干扰？
逻辑电路的抗干扰能力是前级最坏输出和后级最坏输入之间的差值，或裕量。 对于TTL来说，一般的最高输出低电平是400mV，最高输入低电平是800mV，所以低电平噪声裕量是400mV；最低输出高电平是2.4V，最低输入高电平是2.0V，裕量也是400mV。实际上的TTL电路输出高电平都是3.5V左右，最低也是2.8V，因此裕量要稍微大一些。 对于CMOS来说，相对复杂一些。标准的CMOS电路输入阈值点在Vcc/2，输出高可以直接拉到Vcc，输出低可以直接拉到GND，因此，其抗干扰能力理论上接近VCC/2。 有些类型的CMOS，例如74HCT系列，其输入特性和输出特性都是比照TTL设定的，其噪声裕量与TTL相当。
五、cmos和ttl图怎么区别？
cmos是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。
TTL是 Time To Live的缩写，该字段指定IP包被路由器丢弃之前允许通过的最大网段数量。
六、ttl和cmos谁需要防静电？
取决于你的产品应用，一般来讲，TTL电路和CMOS电路对静电的要求一样，都是满足industry级要求，ESD等级要求通过2000V (HBM) 和 200V （MM）
七、ttl和cmos的共同点？
TTL电路和CMOS电路的区别和联系如下：
1、CMOS是场效应管构成(单极性极晶体管构成（双极性电路）。
2、COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作。
3、CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差。
4、CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）。
5、CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。
6、CMOS的噪声容限比TTL噪声容限大。
八、ttl电路和cmos电路的区别？
TTL与CMOS电路的区别
TTL：双极型器件，一般电源电压 5V，速度快（数ns），功耗大（mA级），负载力大，不用端多数不用处理。
CMOS：单级器件，一般电源电压 15V，速度慢（几百ns），功耗低，省电（uA级），负载力小，不用端必须处理。
CMOS 和 TTL 电平的主要区别在于输入转换电平。
CMOS：它的转换电平是电源电压的 1/2，因为 CMOS 的输入时互补的，保证了转换电平是电源电压的 1/2。
TTL：由于它的输入多射击晶体管的结构，决定了转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降，大约为 1.4V。TTL 电源只有 5V的，而且输入电流的方向是向外的！
CMOS 电路应用最广，具有输入阻抗高、扇出能力强、电源电压宽、静态功耗低、抗干扰能力强、温度稳定性好等特点，但多数工作速度低于 TTL 电路。
如果是 TTL 驱动 CMOS，要考虑电平的接口。TTL 可直接驱动 74HCT 型的 CMOS，其余必须考虑逻辑电平的转换问题。
如果是 CMOS 驱动 TTL，要考虑驱动电流不能太低。74HC/74HCT 型 CMOS 可直接驱动 74/74LS 型 TTL，除此需要电平转换。
由于 CMOS 的输入阻抗都比较大，一般比较容易捕捉到干扰脉冲，所以 NC 的脚尽量要接个上拉电阻，而且 CMOS 具有电流闩锁效应，容易烧掉 IC，所以输入端的电流尽量不要太大，最好加限流电阻。
CMOS :H 5V L 0V,TTL H:4.3V左右,L 0.4V ;
TTL 双极器件、电源电压5V、速度快数ns、功耗大mA级、负载力大，负载以mA计，不用端多半可不做处理。
CMOS 单级器件、电源电压可到15V、速度慢几百nS，功耗低省电uA级、负载力小以容性负载计，不用端必须处理。
设计便携式和电池供电的设备多用CMOS芯片，对速度要求较高的最好选用TTL中的74SXXX系列。
通常用74HCXXX系列的可兼顾速度和功耗。是一种改进型的CMOS技术。
CMOS 和 TTL 电平的主要区别是输入转换电平. CMOS 的转换电平是电源电压的 1/2, 从 4000 系列的电源电压最高可达 18V, 到 74HC 的 5V, 以至 3.3V 和将来的 2.5V, 1.8V, 0.8V 等等. 这是因为 CMOS 的输入是互补的, 保证转换电平是电源电压的 1/2. TTL 由于其输入多射极晶体管的结构所决定, 转换电平是 2 倍的 PN 结正向压降, 大约是 1.4V 左右. TTL 电源只有 5V 的, 而且输入的电流方向是向外的.
九、cmos和ttl电路的输出状态？
(一)TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V CMOS电平Vcc可达到12V CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平 另外，CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化，因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
用TTL电平他们就可以兼容 (二)TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。 因为TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。 5V的电平不能触发CMOS电路，12V的电平会损坏TTL电路，因此不能互相兼容匹配。
CMOS是场效应管构成，TTL为双极晶体管构成 COMS的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差 CMOS功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）
CMOS的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。 功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。
十、CMOS电路和TTL电路的区别？
功耗 TTL门电路的空载功耗与CMOS门的静态功耗相比，是较大的，约为数十毫瓦（mw）而后者仅约为几十纳(10-9)瓦；在输出电位发生跳变时（由低到高或由高到低）,TTL和CMOS门电路都会产生数值较大的尖峰电流，引起较大的动态功耗。
速度 通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响 TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。
电阻数值越大，工作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。
门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。
将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越 好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。
CL是主要影响器件工作速度的原因。由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
