达优高科 一、金相试样制备国家标准？
金相试样的取样方法是国家标准GB2975，试样的制备方法是国家标准GB6397。
二、金相试样制备中浸蚀目的是什么？
一般，抛光后的试样表面不显示金相组织，因入射光线被均匀的反射回来，人眼视觉看不出组织之间微小的反射差。因此，为了看清楚，必须将组织造成反差。金相技术为此反差引用了“浸蚀”这一术语。
三、一般金相制备中要抛光多长时间？
一般金相制备中要抛光3~5分钟。
金相制样的目的是显示样品的真实组织。样品可以是金属、陶瓷、烧结碳化物或者其他固态材料。
抛光如同研磨一样，也必须去掉前面工序带来的损伤。可分为金刚石抛光和氧化物抛光两个过程。
金刚石抛光 只有将金刚石作为研磨料进行抛光，才能以最快速度获得最好的研磨平面。这是因为金刚石很硬，它几乎可以切任何材料和相。
氧化物抛光 对于特别软、韧性的样品，须采用氧化物抛光法。
抛光在抛光布上完成。金刚石抛光时还须用到润滑剂。
四、金相显微镜如何测膜厚啊式样怎么制备啊？
你是测什么膜厚度，渗碳层氮化层测的话区分不太明显，目前有两种方法，1，显微镜测试，纵切试样后镶嵌抛光，测出厚度，2，显微维氏硬度计测试法，打出硬度梯度从而得出厚度，此方法较准确
五、金相样品的制备中，细磨过程为什么要逐级替换砂纸？
粗砂纸和砂纸的区别是粗的磨量大，但磨出来粗糙度差，细的则相反。刚开始磨的时候表面一般很粗糙，需要粗砂纸快速将其磨平整。然后逐渐换到细的磨到理想的粗糙度和光亮度
六、为什么在金相制备抛光过程中抛不光滑？
为什么在拋充过程中抛不光滑，是因为打磨过程中做得不合格，所以很难拋光做到光滑。
七、压强在芯片制备过程中有什么作用？
压强是一种正常的物理现象，其作用也有好处，也有坏处。
比如走在雪地上，我们可以增加接触面积，以减小压强，以避免陷到雪地中；
钉钉子时，将头部变尖，以增大压强，使钉子可以迅速进入木头。
当你潜水时，水产生的压强可能致命。
所以说，压强只是一种正常的物理现象，其作用有好，也有坏。
八、第三代半导体如何制备芯片？
沉积：制造芯片的第一步，通常是将材料薄膜沉积到晶圆上。材料可以是导体、绝缘体或半导体。
光刻胶涂覆：进行光刻前，首先要在晶圆上涂覆光敏材料“光刻胶”或“光阻”，然后将晶圆放入光刻机。
曝光：在掩模版上制作需要印刷的图案蓝图。晶圆放入光刻机后，光束会通过掩模版投射到晶圆上。光刻机内的光学元件将图案缩小并聚焦到光刻胶涂层上。在光束的照射下，光刻胶发生化学反应，光罩上的图案由此印刻到光刻胶涂层。
计算光刻：光刻期间产生的物理、化学效应可能造成图案形变，因此需要事先对掩模版上的图案进行调整，确保最终光刻图案的准确。ASML将现有光刻数据及圆晶测试数据整合，制作算法模型，精确调整图案。
烘烤与显影：晶圆离开光刻机后，要进行烘烤及显影，使光刻的图案永久固定。洗去多余光刻胶，部分涂层留出空白部分。
刻蚀：显影完成后，使用气体等材料去除多余的空白部分，形成3D电路图案。
计量和检验：芯片生产过程中，始终对晶圆进行计量和检验，确保没有误差。检测结果反馈至光刻系统，进一步优化、调整设备。
离子注入：在去除剩余的光刻胶之前，可以用正离子或负离子轰击晶圆，对部分图案的半导体特性进行调整。
视需要重复制程步驟：从薄膜沉积到去除光刻胶，整个流程为晶圆片覆盖上一层图案。而要在晶圆片上形成集成电路，完成芯片制作，这一流程需要不断重复，可多达100次。
封装芯片：最后一步，切割晶圆，获得单个芯片，封装在保护壳中。这样，成品芯片就可以用来生产电视、平板电脑或者其他数字设备了！
九、jeep指南者换钥匙芯片无法识别？
每一辆轿车上年独有识读线圈的，和防空单元的。只是材料和寿命长度的差异而已。就算你的要是丢了你只需要到维修店里面更换一下防控单元还有识读线圈，防空单元与识读线圈和钥匙相匹配你的要是才能开启你的车门还有启动你的车子，但是你要注意了，如果你的车钥匙点了的话一定要去更换防控单元及识读线圈。不要只匹配你的车钥匙就算了。你丢失掉的钥匙是可以打开你的车门的但是不能启动除非你和更换了防控单元以及识读线圈那样你丢失的钥匙才打不开不你的车门
十、nRF系列无线数传芯片选型指南？
型 号 工作频段 通讯速率 典型功耗 特性说明
nRF401 433M 20Kbps 工作电压：2.7～5.25V
发射电流：8～18mA（注1）
接收电流：10mA
休眠电流：8uA
最大发射功率10dBm，通讯距离约100米（注2）；
2个可选频道；
采用4M晶体；
20脚SSOIC封装。
nRF402 433M 20Kbps 工作电压：2.7～3.3V
发射电流：8～18mA
休眠电流：8uA单发射芯片；
最大发射功率10dBm，通讯距离100米；
2个可选频道；
采用4M晶体；
14脚SSOIC封装。
nRF403 315/433M 20Kbps 工作电压：2.7～3.3V
发射电流：8～18mA
接收电流：10mA
休眠电流：8uA 最大发射功率10dBm，通讯距离约100米；
2个可选频道；
采用4M晶体；
20脚SSOIC封装。
nRF902 868M 50Kbps 工作电压：2.4～3.6V
发射电流：9mA
休眠电流：10uA 单发射芯片；
最大发射功率10dBm，通讯距离100米；
频道由晶体频率决定；
采用13.469～13.593M晶体；
8脚SOIC封装。
nRF903 433/868/915M 76.8Kbps 工作电压：2.7～3.3V
发射电流：10～20mA
接收电流：18mA
休眠电流：1uA 最大发射功率10dBm，通讯距离约100米；
169个可选频道；
采用11.0592M晶体；
32脚TQFP封装。
nRF905 433/868/915M 100Kbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：10～30mA
接收电流：12.5mA
休眠电流：2.5uA 最大发射功率10dBm，通讯距离约100米；
169个可选频道；
采用4、8、12、16、20M晶体；
32脚QFN 5×5mm封装。
nRF9E5 433/868/915M 100Kbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：10～30mA
接收电流：12.5mA
MCU工作电流：1～3mA
ADC工作电流：0.9mA
休眠电流：2.5uA 最大发射功率10dBm，通讯距离约100米；
169个可选频道；
片载增强型MCS51兼容MCU；
片载4路10位80Kbps采样率的ADC；
片载电源电压监视器；
片载独立时钟的看门狗和唤醒定时器；
256B＋4KB 片内RAM，自引导ROM；
采用4、8、12、16、20M晶体；
32脚QFN 5×5mm封装。
nRF2401 2.4G 1Mbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：8.8～13mA
接收电流：18～25mA
休眠电流：1uA 最大发射功率0dBm，通讯距离约10米；
125个可选频道；
采用4、8、12、16、20M晶体；
24脚QFN 5×5mm封装。
nRF2402 2.4G 1Mbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：8.8～13mA
休眠电流：200nA 单发射芯片；
最大发射功率0dBm，通讯距离约10米；
128个可选频道；
采用4、8、12、16、20M晶体；
16脚QFN 4×4mm封装。
nRF24E1 2.4G 4Mbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：8.8～13mA
接收电流：18～25mA
MCU工作电流：1～3mA
ADC工作电流：0.9mA
休眠电流：2uA 最大发射功率0dBm，通讯距离约10米；
125个可选频道；
片载增强型MCS51兼容MCU；
片载9路10位100Kbps采样率的ADC；
片载电源电压监视器；
片载独立时钟的看门狗和唤醒定时器；
256B＋4KB 片内RAM，512B片内Boot ROM；
可提供掩膜；
采用4、8、12、16、20M晶体；
36脚QFN 6×6mm封装。
nRF24E2 2.4G 4Mbps 工作电压：1.9～3.6V
发射电流：8.8～13mA
MCU工作电流：1～3mA
ADC工作电流：0.9mA
休眠电流：2uA 单发射芯片；
其它与nRF24E1兼容
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