admin 一、14纳米光刻机能生产几纳米芯片？
可以生产22纳米以下制程的芯片。
14纳米光刻机可以生产22纳米以下制程的芯片。实际上并不是14纳米光刻机，而应该叫做13.5纳米euv光刻机。该制程光刻机是专门用于生产22纳米以下高制程芯片的，并且随着duv光刻机制作14纳米芯片工艺成熟，13.5纳米euv光刻机通常会用于14纳米以下制程芯片，比如12纳米、10纳米、8纳米、7纳米、5纳米，最高目前可以到4纳米。
二、28纳米光刻机怎么刻14纳米芯片？
可以用多次曝光技术刻14纳米芯片
28纳米光刻机可以通过多次曝光技术刻制14纳米芯片。光刻制程本身就是一种多重配套制造流程，包括多重黄光和光胶，脱离以及再生过程等等，需要芯片设计软件搭配。如果芯片设计上以28纳米光刻设备配合适当的14纳米缩影光罩和胶片缩影，用多次曝光等技术，代用实验制程但非14纳米量产制程，可以在部分芯片的电路位置做出14纳米的线路，但不能量产和非全面的14纳米制程。
三、90纳米光刻机能生产14纳米芯片吗？
90纳米光刻机是能生产14纳米芯片。
90纳米的光刻机可以用多重曝光的方法，来制造14纳米的芯片。
不过多重曝光，就会让芯片的制造成本增加，而且还会让芯片的良品率下降。
90纳米的光刻机制造，14纳米的芯片，除了他们更高之外，还有技术工艺也会比较复杂。
四、14纳米芯片要用多少纳米光刻机？
成熟的28纳米光刻机之后，再配合芯片制造工艺的改进，再经过多次曝光之后是可以用于生产14纳米光刻机的，甚至有可能用于生产7nm纳米芯片。
EUV光刻机可以生产14nm 7nm 5nm甚至3nm芯片，台积电刚开始的14nm也是用DUV 38 nm光刻机生产的，所以38nm光刻机应该就可以了
五、为什么中芯国际没有14纳米光刻机却能制造14纳米芯片？
买国外的。
目前国内的光刻机技术距离世界先进差距还比较大，所以中芯国际的光刻机主要从国外采购，可以制造14纳米芯片的光刻机中芯国际是从国外购买的。
不过可以生产7纳米和更加先进工艺的光刻机，国外对我国进行了限制，不出售给我国。
六、14纳米的芯片必须用光刻机吗？
14纳米的光刻机必须用光刻机。硅基芯片所有规格的芯片都要用到光刻机。
光刻机的作用：
1、在加工芯片的过程中，光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图。
2、一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。
七、28纳米光刻机能做几纳米芯片？
最高能做7纳米芯片。
28纳米光刻机最高能做到7纳米芯片，28纳米光刻机实际就是duv光刻机，duv光刻机的光源是193纳米波长的，通过水的折射降低到134纳米，然后通过提高分辨率达到28纳米。目前台积电和三星能28纳米光刻机做到7纳米制程，我国的中芯国际可以做到14纳米量产，最高制程能做到接近7纳米，但目前还在提高良品率。
八、光刻机与纳米芯片关系？
光刻机的精度直接影响到芯片的制程。传统意义上讲，制程越小，单个晶元上能够承载的晶体管数目就越多，芯片的性能就越好，比如说目前手机上应用的7nm芯片和5nm芯片来比，性能和集成度就会相对差一些。
而芯片的制程是个光刻机的精度有关的，光刻机的光源波长越小，单位面积上可雕刻的线路就越多，生产出来的芯片单位面积上的晶体管数目就越多。简单的说就是，如果你想在单位面积上雕刻更密的花纹，最好的办法就是用更薄的刻刀
九、光刻机芯片最高几纳米？
目前市场上的光刻机芯片制造技术已经发展到了极限，最高分辨率已经达到了几十纳米的水平。以下是一些光刻机芯片的分辨率情况：
1. ASML公司的最新一代光刻机芯片分辨率达到了7纳米。
2. 三星、英特尔等公司的光刻机芯片分辨率也已经达到了10纳米的水平。
3. 台积电的光刻机芯片分辨率也已经达到了10纳米的水平。
需要注意的是，光刻机芯片的分辨率受到多种因素的影响，包括光刻机的技术水平、光源的稳定性、光刻胶的质量等等。此外，随着技术的不断发展，光刻机芯片的分辨率还将不断提高。
十、中国能生产光刻机和5纳米芯片吗？
中国是可以生产光刻机的，但是25nm的芯片，目前国际上最先进的芯片技术是5nm芯片，我国的光刻机是制造不出来5nm芯片的，未来十几年内也制造不出来，因为5nm需要的光刻机世界上也没有一个国家可以自己制造出来，现在荷兰制造5nm的光刻机也是集成世界最先进技术拼凑的，荷兰自己只占20%自主知识产权。
我国的光刻机和世界上上最先进的EUV光刻机差了两代半，理论上追赶需要15-20年，但现在我们国家也没有一台EUV光刻机，这个追赶速度理论上要超过20年。
中芯国际曾经订了一台花了9亿，美国出手干预结果没有成交，这给我们自主研发增加了困难。
华为每年在台积电花费超过20亿美元订购芯片，而中国每年进口额最多的也是芯片超过200亿美元，芯片进口额超过了石油，排在所有商品的第一位。
现在台积电已经研发出来3nm芯片技术，这又领先了全球5年，因为现在最先进的5nm技术后是4nm技术，三星已经定下军令状在5年内要直接跳过4nm技术研发3nm追赶台积电。
其实台积电内最珍贵的是那20多台EUV光刻机，如果我们能收复台湾，这些光刻机对于我国自主研发有质的飞跃，会直接缩短研发的进程。
如果我国自主研发出来5nm光刻机，直接和世界差距缩小到5年，未来加上努力超越世界也是有可能的。